2016年11月24日，上海宝存信息科技有限公司携全新升级SSD闪存亮相“GITC2016全球互联网技术大会”。此次，宝存科技共推出Shannon Hyper-IO NVMe SSD及两款升级版Shannon Direct-IO PCIe Flash共三款闪存新品。本次发布的产品皆采用先进的3D NAND技术，在容量和性能上相较于此前的系列都有着非常大的提升，Shannon Direct-IO PCIe Flash单卡最大容量可达12.8TB，可以说是目前全球单卡的最大容量。2017年宝存科技将采用3D TLC NAND将容量提升一倍达到25TB。

自2011年成立以来，宝存科技一直致力于固态闪存产品。如今，正是看到了3D NAND在未来企业级应用中的趋势，宝存科技在突破2D NAND闪存物理极限的同时，凭借其长期在原生PCIe研发方面的优势，将3D NAND技术应用于其全线产品中。

突破极限,单卡最大容量12.8TB

2014年宝存科技对外发布当时全球最大容量6.4TB的PCIe固态闪存卡——Direct-IO PCIe Flash，深受企业欢迎。今天，宝存科技推出了全新一代支持MLC/TLC 3D NAND的Shannon Direct-IO PCIe Flash产品，容量设计有1.6TB、2.4TB、3.2TB的MLC和6.4TB、12.8TB的3D MLC两种闪存类型容量可供选择，从而实现了容量的高扩展性。

全新的Shannon Direct-IO PCIe Flash固态闪存卡集高性能，高可靠性和高可塑性于一身，是一款专为解决高性能应用中的IO瓶颈而量身定制的企业级存储产品。它采用了基于专业大规模并行多处理器的闪存控制器，最大限度地减少中间环节和资源冲突，实现最低时延(70?s RR /9?s RW)，功耗峰值低于25W，实现了业界领先的系统稳定性及性能一致性。

可靠性方面，宝存科技利用高信号处理技术及RAID技术确保了数据安全可靠存储。而完善的容错纠错检错机制更提供了端到端的数据保护，确保了企业级应用的高可靠性（MTBF>200万/小时）。同时，宝存科技利用DRAM-less设计，确保极少量的控制器内部缓存在突发掉电时自动安全刷入闪存，保护突发状况下的数据完整安全。

面对用户最关心的闪存卡寿命问题，Direct-IO PCIe固态闪存卡在设计中利用了自适应处理及动态数据和负载跟踪技术，最小化写放大因子，最大化系统寿命，保证了该系列产品在每天5次全盘写的情况下，使用寿命可达3年。

物理形态方面，此次发布的Direct-IO PCIe Flash采用了标准的半长PCIe卡和PCIe 2.0×8接口，能和所有现代机架式或塔式服务器兼容。软件上提供标准化块设备接口，应用程序无需改动即可轻松获得十倍甚至更高的性能提升。

宝存科技此次还专门推出了一款面向企业级应用的U.2标准接口闪存卡——Shannon Direct-IO PCIe Flash-U.2，其容量扩至9.6T，是目前全球U.2 SSD单卡最大容量。

全线覆盖，建立企业级闪存行业生态圈

相比Direct-IO PCIe Flash基于标准PCIe的高度可定制化架构，宝存科技此次发布的遵循NVMe标准的PCIe Flash产品则拥有更好地通用性。

Shannon Hyper-IO NVMe SSD是基于宝存科技高度定制的NVMe ASIC控制器的企业级SSD，外型为2.5英寸物理盘，支持标准化U.2接口，目前单卡最高容量可达2TB。由于其结合了最先进的3D NAND Flash技术，可以为企业和超大规模数据中心客户大幅度节约采购成本和维护费用。

性能方面，Hyper-IO NVMe SSD 的顺序读取带宽高达2.2GB/s，顺序写入带宽高达 1GB/s，相对于传统的SATA协议，NVMe协议降低了访问延迟达70%，同时提供随机IOPS（4KB）超过120K，而包揽这些性能所需配备峰值功率不超过6W。

此外，采用优化的控制器设计的NVMe接口能够实现低延迟, Hyper-IO NVMe SSD可以达到125?s 4KB随机读延迟和15?s 4KB随机写延迟。Hyper-IO NVMe SSD的控制器采用多核心处理架构，能提供超过120K的随机读写IOPS(4KB)，满足了企业关键任务与大规模数据中心应用的苛刻要求。

Hyper-IO NVMe SSD功率不超过6W，在低负荷状态时，Hyper-IO NVMe SSD 的消耗功率小于2.5W，极大程度降低了数据中心的电力维护成本。

Hyper-IO NVMe SSD有突发掉电保护技术，采用工业级超级电容器和专用的硬件电路，在突然断电发生时，能提供全面的数据保护。无论是电源故障，还是服务器崩溃，Hyper-IO NVMe SSD都能保证数据的完整性。

此次发布的新品均采用了镁光的3D MLC NAND闪存，镁光与宝存科技之间也形成了紧密合作伙伴关系。3D NAND技术在特性上有很大的变化，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达多倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

据了解，宝存科技通过此次发布的Direct-IO和NVMe新品，实现了两条PCIe产品线的构建，加之固有的SATA SSD产品，满足了不同用户对不同应用场景的性能需求。

云计算的快速发展导致了存储的数据量激增，进而推动了计算格局的不断变化。作为闪存领域的国内专业厂商之一，宝存科技一直以来重视闪存品质的同时，专注对企业级用户需求的把握，并以此为目标逐渐建立基于企业级闪存的行业生态圈，通过PCIe、SATA、NVMe全线产品，实现垂直市场覆盖力，形成围绕闪存卡产品为核心的多类用户解决方案，进而形成其未来发展的绝对实力。