BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。
美光方面的SATA制造工艺由32层更新至64层3D NAND，但其最大容量仍保持不变。
日前，英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘DC P4500系列及DC P4600系列。这两款产品主要为云存储解决方案所设计，可应用于软件定义存储及融合式基础设施。
2017年2月22日— 西部数据公司宣布已经在日本四日市开始试产512 Gigabit (Gb)，采用 three-bits-per-cell (X3) 技术的64层3D NAND（BICS3）闪存芯片，预计将于2017年下半年进行量产。这款划时代的闪存芯片是西部数据公司领导快闪记忆体产业近30年以来，众多创举中的最新力作。
2016年11月24日，上海宝存信息科技有限公司携全新升级SSD闪存亮相“GITC2016全球互联网技术大会”。此次，宝存科技共推出Shannon Hyper-IO NVMe SSD及两款升级版Shannon Direct-IO PCIe Flash共三款闪存新品。本次发布的产品皆采用先进的3D NAND技术，在容量和性能上相较于此前的系列都有着非常大的提升，Shannon Direct-IO PCIe Flash单卡最大容量可达12.8TB，可以说是目前全球单卡的最大容量。2017年宝存科技将采用3D TLC NAND将容量提升一倍达到25TB。
作为面向企业高端应用需求的又一主力战将，今天英特尔固态盘数据中心产品家族最新发布了拥有最大4TB容量、可提供高达5GB/s连续读取速度的DC P3608固态盘。借着新产品的发布英特尔存储高管来华解读了英特尔固态盘的市场的最新战略，并深度解析了其全新面向数据中心及消费领域的存储器制程技术3D XPointM 与可以造就全球最高密度闪存的3D NAND工艺架构技术，并分享了英特尔固态盘在全球及中国市场的部署与应用情况。
固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。
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