2017年2月22日— 西部数据公司宣布已经在日本四日市开始试产512 Gigabit (Gb)，采用 three-bits-per-cell (X3) 技术的64层3D NAND（BICS3）闪存芯片，预计将于2017年下半年进行量产。这款划时代的闪存芯片是西部数据公司领导快闪记忆体产业近30年以来，众多创举中的最新力作。

西部数据公司记忆体技术执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们最新推出的512Gb，64层3D NAND闪存芯片是西部数据在3D NAND技术的一大进展，其密度与2016年7月推出的64层架构闪存芯片产品相比翻了一番。使我们快速拓展的3D NAND技术产品组合更加完整。并且让我们能够持续地满足客户因应零售、移动以及数据中心应用日益增长的存储需求。

本次全新推出的512Gb 64层闪存芯片是由西部数据与技术和制造合作伙伴东芝联合开发。西部数据此前已于2016年7月宣布了64层3D NAND技术，以及2015年宣布推出了48层3D NAND技术，采用这两项技术的产品将继续向零售与OEM制造商供货。