韩国存储芯片巨头SK海力士将其ADR定价为149美元，募资约265亿美元，成为史上第二大IPO，仅次于SpaceX。此次纳斯达克上市旨在抓住AI热潮下的HBM芯片需求红利，缩小与美光科技的估值差距，募资将用于新建芯片制造设施和采购精密设备。
顶级AI芯片制造商依赖更快、更密集、更高效的内存来提升训练性能。
美国新政策会加大芯片制造商在中国运营晶圆厂的难度。
由于PC和智能手机制造商的订单不及预期，导致供过于求，NAND闪存价格预计将下滑，这迫使存储芯片制造商削减产量。
SK海力士近日宣布，其在3D DRAM技术上取得了重大进展。通过采用新型的垂直通道晶体管（VCT）技术和堆叠存储单元技术，SK海力士有望大幅降低DRAM的生产成本，并提
SK 海力士发布了截至 2024 年 6 月 30 日的 2024 财年第二季度财务报告，营收为16.4233 万亿韩元，同比增长 125%，环比增长 32%，大幅超过 2022 年第二季度的 13.811 万亿韩元记录再创历史新高。
在近日举行的2024台北国际电脑展（COMPUTEX 2024）上，SK海力士代表宣布，该公司将于2025年一季度开始大规模生产GDDR7显存芯片。
SK海力士最近宣布成功开发出DDR5级别的CXL内存，支持PCIe 5.0 x8通道，在CXL内存的支持下，服务器的内存容量可以轻松
随着以NAND闪存为代表的存储市场不断转暖，韩国存储厂商SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。
日前，SK海力士表示，其成功研发出全球首款以20 纳米级8GB DDR4为基础的超大容量 128GB模块。SK海力士继推出以8GB DDR4的64GB模块后，研发出全球首款128GB DDR4模块，该产品预计在2015年上半年开始正式量产。
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