SK海力士近日宣布，其在3D DRAM技术上取得了重大进展。通过采用新型的垂直通道晶体管（VCT）技术和堆叠存储单元技术，SK海力士有望大幅降低DRAM的生产成本，并提高存储密度。

VCT技术降低成本

SK海力士的研究人员发现，通过采用VCT技术，可以减少对昂贵的极紫外光刻（EUV）技术的依赖。这不仅降低了生产成本，还提高了生产效率。此外，VCT技术还可以使芯片面积更小，从而提高存储密度。

堆叠技术提升容量

除了VCT技术，SK海力士还在积极探索堆叠存储单元技术。目前，该公司已经成功实现了5层堆叠的DRAM，并取得了较高的良率。这一技术的成熟将进一步提升DRAM的存储容量。

HBM3e推动市场增长

值得一提的是，SK海力士的高带宽内存HBM3e已经成功打入高端市场。HBM3e凭借其高带宽、低延迟的特点，受到了NVIDIA等公司的青睐，被广泛应用于人工智能加速器等领域。

行业前景

业内人士认为，SK海力士在3D DRAM技术上的突破，将推动整个存储器行业的技术革新。随着人工智能、大数据等技术的快速发展，对高性能存储的需求将不断增长，3D DRAM有望成为未来存储器的主流。