近日，佳能在东京宣布，将于2026年12月上旬发售面向存储和逻辑芯片的KrF扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。

佳能半导体光刻机新产品——KrF扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”

近年来，在生成式人工智能（AI）普及的背景下，尖端半导体的需求不断扩大，市场对半导体光刻设备生产效率的提升也提出了更高要求。同时，随着高集成化进程的推进，曝光工序不断增加，多层堆叠成为趋势，晶圆的翘曲和变形问题愈发突出。因此，要求光刻机能适配翘曲更大的晶圆，并实现高精度地套刻各层电路图案。佳能本次推出的这款KrF扫描式半导体光刻机新产品兼具每小时400片晶圆的高产能和业界高水平套刻精度，通过追加图像对准（对位）系统的新光源，强化晶圆翘曲的对应，为日趋复杂、多样化的半导体制造工艺发展提供助力。

实现尖端半导体量产所需的高生产率和业界高水平套刻精度

通过新开发的超高加速度载台缩短驱动时间，使每小时400片的晶圆曝光成为可能，相比前代机型产能大幅提升。同时新开发了即使在高速驱动时也能进行稳定高精度位置控制的震动抑制技术，以及降低设备内气流不均匀、使激光光路温度均一化的空调控制技术，从而实现业界高水平的4.0nm套刻精度。高产能与高套刻精度并存，有助于提升生产效率和良率，满足日益增长的尖端半导体量产需求。此外，该设备与佳能半导体光刻机解决方案平台“Lithography Plus”（2022年9月发售）进行联动，通过活用佳能迄今培育的半导体制造相关数据，对设备的状态进行监视、分析并实施妥善恰当的品质管理，为提高用户的生产率做出贡献。

对准系统中的新光源追加和晶圆大翘曲的对应，为多种半导体制造工艺做出贡献

在佳能独有的图像对准系统中，新增了可选配的新光源“Hi-ALS（High Alignment Light Source）”。由于可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，因此能在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。同时，设备可在曝光前测量各种工艺中产生的晶圆翘曲量，并通过调整载台上的吸气流量，提高对大翘曲晶圆的吸附能力，从而改善曝光时的翘曲。由此，可对应的翘曲量扩大到700μm，强化了对三维器件的堆叠及晶圆键合工艺中产生的晶圆翘曲的应对能力。

晶圆翘曲改善的示意图（左：改善前、右：改善后）

通过再生电力的活用等，减少每片晶圆的耗电量

佳能半导体光刻机“FPA-6400ES6a”搭载新开发的电力控制技术，可将在载台减速时产生的再生电力储存在电容器中，并在加速时加以再利用。通过控制来自电源和电容器的电力供给，在确保超高加速度载台所需高响应性的同时，有效利用再生能源。该设备还配备了新开发的支持超高加速度载台的高效率电源，通过提升电源效率降低电力损耗，并简化冷却机构。通过这些技术，降低了每片晶圆曝光所需的耗电量*4，同时兼顾了环境保护。

参考信息：

<佳能半导体光刻设备产品规格>

主要产品规格介绍：https://global.canon/en/product/indtech/semicon/

<什么是Scanner扫描式光刻机>

同时移动光罩载台和晶圆载台、在曝光时采用“步进扫描方式”（step and scan）的光刻机称为Scanner“扫描式光刻机”。扫描式光刻机虽然使系统变得复杂，但扫描动作可覆盖曝光视场，因此可以缩小镜头。其主要优点在于，可设计和生产像差小和失真少的镜头。另外，当晶圆基底上的图案存在变形时，可通过扫描动作一边修正一边曝光，因此扫描式光刻机具备很高的套刻性能。上述特点使高精度曝光成为可能。