9月22日消息，三星今天宣布了五款全新的SSD产品，包括旗下首款第三代V-NAND的850 EVO。三星在8月份才宣布量产第三代V-NAND，准确地说是48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片，没想到这么快就拿出了成品。

首发的850 EVO有三种存储规格，1TB、500GB和256GB。

三星全新SSD产品

容量涨这么猛，秘密就在于单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)。三星的实现方式很简单，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共存储256Gb数据。

虽然在48层的技术首发上晚于东芝，但三星率先拿出了最终产品，而东芝只是提及准备量产。

目前这款产品的具体参数还没有具体信息。

本月这款产品将在全球50多个国家发售，包括中国。