美国IBM公司的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。

过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借重要的工程突破，碳纳米管晶体管替代硅晶体管未来将成为现实。

碳纳米管有着良好的电特性和热特性，从理论上来说可以成为电路的基础，并带来更快的速度和更好的能效。不过，生产基于碳纳米管晶体管的商用设备面临着制造方面的多重挑战。此次，IBM的研究人员解决了其中一项挑战：如何将碳纳米管与金属触点进行连接。IBM的研究人员改变了1个碳纳米管和2个金属触点之间的界面。在制造碳纳米管晶体管时，传统做法是在碳纳米管上进行金属触点沉积。而目前，IBM的研究人员将金属触点置于碳纳米管的底部，通过反应形成不同的化合物。通过这种方式，IBM的研究人员证明，尺寸小于10纳米的金属触点不会影响碳纳米管的性能。