软银和英特尔希望利用 HBM 内存替代品与三星和 SK 海力士竞争

据《日经亚洲》报道，软银集团与英特尔正联合开发新一代人工智能专用高带宽内存（HBM），目标直指韩国三星电子与SK海力士主导的全球HBM市场。这一被命名为“Saimemory”的项目计划通过颠覆性技术革新，将内存功耗降低50%，但其商业化时间表引发行业热议。

低功耗与新架构双管齐下

根据披露信息，Saimemory将采用全新布线结构的堆叠式DRAM芯片设计，重点突破现有HBM产品的能耗瓶颈。软银高管透露，该内存芯片专为AI数据中心打造，旨在满足大规模模型训练对高吞吐量与能效比的严苛需求。若研发成功，新产品有望显著降低AI计算成本，并助力日本构建自主可控的半导体供应链，减少对韩国供应商的依赖。

按计划，Saimemory需在两年内完成原型开发，并于2030年实现量产。然而，当前三星与SK海力士已量产第四代HBM3产品，第五代HBM3E即将规模化出货，技术代际差距持续扩大。分析人士指出，半导体工艺迭代周期通常为18-24个月，Saimemory若无法加速技术落地，恐将面临“上市即落后”的困境。

全球HBM市场呈现高度集中态势，三星与SK海力士合计占据超90%份额，且通过绑定英伟达、AMD等AI芯片巨头形成深度产业链协同。相比之下，日本DRAM产业已沉寂十余年——最后一家本土厂商尔必达于2012年破产，技术断层与生态缺失成为Saimemory的隐性挑战。尽管软银承诺“优先供应”，但缺乏终端客户基础或成其商业化障碍。

软银英特尔的“双重押注”日本能否重返半导体舞台？

此次合作背后折射出两大巨头的战略转型焦虑，英特尔正通过IDM 2.0计划重振代工业务，同时加码AI芯片以对抗英伟达；软银则持续扩大Arm生态版图，并借Saimemory布局AI基础设施。然而，双方均面临主业压力：英特尔需平衡制造扩张与利润下滑，软银则需应对Arm营收增长放缓与AI投资回报周期长的现实。

该项目获日本政府重点关注，被视为复兴本土半导体产业的关键一环。软银作为最大投资者，已注资30亿日元（约合1.9亿元人民币），英特尔提供核心技术支持，东京大学等学术机构贡献专利储备。业内认为，日美技术联盟或为项目增添筹码，但要在全球千亿美元级HBM市场中突围，仍需跨越技术验证、客户导入与产能爬坡的多重关卡。