近日，有消息传出，美国正在考虑对韩国以及中国领先的内存芯片制造商长鑫存储实施新的技术限制。旨在阻止中国在人工智能存储芯片领域的技术进步，进一步加剧了中美之间的技术竞争。

这些新的限制措施将主要针对高带宽内存（HBM）以及能够生产这类先进半导体的设备。一旦实施，这将包括禁止向中国的相关公司直接销售HBM2及更先进的芯片，如HBM3和HBM3E。这些是目前市场上最先进的AI内存芯片，对于运行AI加速器至关重要，例如由Nvidia Corp.和Advanced Micro Devices Inc.提供的加速器。

该规定还将对制造这些高级HBM芯片所需的工具和设备施加一系列新限制。虽然具体的限制细则尚未公布，但分析人士认为，这将使得中国在AI领域的研发受到严重阻碍，尤其是对于那些依赖高端内存芯片的AI加速器制造商而言。

尽管新措施将限制向中国公司直接销售HBM芯片，但目前尚不清楚与AI加速器捆绑销售的高端内存芯片是否会被允许在中国销售。此外，虽然美光公司已经基本不会受到影响，因为自北京禁止其内存芯片进入关键基础设施以来，该公司一直拒绝向中国出售其HBM产品，但对于其他依赖美国技术的全球芯片制造商来说，情况则可能更为复杂。

知情人士透露，美国计划中的这些新限制措施可能会最早于8月底公布，并将作为更广泛计划的一部分，其中包括对120多家中国公司的制裁以及对各种芯片设备的新限制。然而，日本、荷兰和韩国等关键盟友可能会免于此类制裁，这意味着这些设备的控制措施可能会主要针对美国公司。