近日，SK 海力士宣布计划于2025年推出全新的16层HBM3e（High Bandwidth Memory 3e）芯片，这款新芯片从36GB增加到48GB。

SK 海力士在首尔举行的SK AI峰会上，首席执行官Kwak Noh-Jung亲自宣布了这一消息。Kwak表示，16层HBM3e芯片通过堆叠16个DRAM芯片，应用了经过量产验证的先进MR-MUF（大规模回流成型底部填充）技术，使得AI的学习和推理性能分别提高了18%和34%。此外，SK海力士还在开发混合键合技术作为备用工艺，以进一步降低芯片的整体厚度，实现更高的堆叠。

这一技术升级对于加速AI开发的组织来说，无疑是一个巨大的福音。HBM3e芯片传统上最多只有12层，但随着技术的不断进步，尤其是HBM4的出现，用户将能够获得更高的性能和更低的延迟。据透露，HBM4每针提供超过10 Gbps的速率，而其前代产品的最高速率仅为9.2 Gbps。因此，与HBM3e的1.2 TBps以上相比，HBM4将释放高达1.5 TBps的带宽能力。

在设计方面，16-Hi产品采用了新一代的MR-MUF技术开发而成，这种技术可以实现无翘曲芯片堆叠，并且厚度比传统技术薄40%。同时，由于使用了新的保护材料，散热效果也得到了显著改善。此外，混合键合技术的引入也带来了显著改进，它涉及直接键合芯片，无需在堆叠过程中在芯片之间形成“凸块”，从而进一步降低了芯片的整体厚度。

SK海力士在一份声明中表示：“我们正在研究用于16层及更高层HBM产品的先进MR-MUF和混合键合方法，以持续推动技术的创新和突破。”该公司预计，16层HBM3e芯片将于2025年初开始分销样品产品，并计划在未来几年内实现大规模商业化。