英特尔公司和美光科技日前推出了一种名为3DXPoint的非易失性存储器技术，该技术有潜力对那些得益于快速访问大量数据的任何设备、应用或服务实现革新。现已投入生产的3DXPoint技术是存储器制程技术的一项重大突破，也是自1989 年NAND闪存推出至今首款基于全新技术的非易失性存储器。

3DXPoint技术集当今市场中所有存储器技术在性能、密度、功耗、非易失性和成本方面的优势于一体。与NAND相比，这项技术在速度及耐用性方面均实现了高达1000倍的提升。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。3DXPoint技术的性能优势还可以改善个人计算的体验，让消费者享受到更快速的社交媒体互动和协作，并获得更逼真的游戏体验。由于这一技术具备非易失性，可使应用这一技术的设备在断电时数据不会丢失。因此，该技术也成为各种低延迟存储应用的理想之选。

3DXPoint技术诞生于十多年间的研究与开发。该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求。它开创了一种可显著降低延迟的新型非易失性存储器，使得在靠近处理器的位置存储更多数据成为可能，并以此前的非易失性存储无法达到的速度来访问更多数据。基于更少晶体管数量构建的创新型交叉点架构建立了一个存储单元位于字线和位线交叉点的“三维棋盘”，以支持对单个存储单元的独立访问。基于这个架构的存储器，数据可以作为更小的片段进行写入和读取，从而实现更快速、更高效的读取和写入操作。