据研究人员称，闪存的未来是没有希望的，因为硅芯片的体积更小，更高密度的封装电路，会使它过于缓慢和不可靠。企业级闪存的每比特成本会停滞并且闪存将成为“一个钝的刀片”。

　　在圣何塞举行的Usenix FAST'12会议上，boffins在一个PDF文档中提出他们的研究结果。他们希望看到如何处理尺寸的缩小和数据密度的增加——表示为每单元的位 (bits)数量——受到影响的有NAND的性能，也许还包括减少其与硬盘驱动器在性能、可靠性和耐久性等方面的差异。

　　他们收集了来自6家制造商约45款闪存芯片的数据，制程工艺从72纳米到25纳米，并查看原始闪存芯片数据，假设制造用于控制器管理的闪存翻译层(FTL)，使内存芯片的硬件适应一个文件系统。

　　接着他们看到性能测量结果显示闪存的特征大小减少了，并写道：“我们用这个分析来预测未来的固态硬盘的性能和成本特性，我们表明，未来在密度上的收益将会带来性能和可靠性方面的显着下降。”

　　下面是其主要的断言：

　　虽然闪存密度在bits/mm2和特征尺寸扩展方面持续快速增长，所有其它闪存的优点——性能、编程/擦除耐力、能源效率和数据的保留时间——随着密度上升急剧下降。

　　例如，我们的数据显示，在每个单元上增加一个bit，会增加4倍写入延迟并减少编程/擦除寿命10至20倍，而密度带来的用料减少(在每单元1、2、3和4bit之间分别只有2倍，1.5倍和1.3倍)。

　　结果是，我们已经达到了当前的闪存管理技术可以提供可用容量的限制——我们也许能够建立更大的SSD，但它们可能过于缓慢和不可靠，面对企业应用中类似于磁盘的成本竞争力。

　　研究人员说：“通过在一个单元中添加位或降低特征尺寸来提高闪存的密度，会降低寿命和可靠性。”