三星宣布，已开始量产采用14nm EUV工艺的DDR5内存，5层EUV方案，具有更高的密度，更低的成本、更低的功耗以及性能表现。

具体来说，采用该工艺使晶圆生产率提高了约 20%，功耗降低近 20%，单芯最大容量增至24GB，而性能从最高的3.2 Gbps 提升至7.2 Gbps，翻了一番还有余。

三星计划扩展其 14 纳米 DDR5 产品组合，以满足数据中心、超算和企业服务器等需求。另外，三星表示，这款产品非常适合用在AI和5G工作负载设备中，这些市场正在不断增长当中。