在芯片技术竞争持续紧张的背景下，华为申请了一项新专利，展示了传闻中的Ascend 910D芯片组设计，该设计与台积电类似。这款下一代AI处理器可能会给英伟达Rubin GPU等外国竞争对手带来沉重打击。

根据最新专利，华为正在为Ascend 910D芯片开发四芯片组（die）设计。细节暗示，新的芯片封装方式可以有效地与英伟达和台积电等顶级 AI 半导体公司竞争。

仔细研究该专利，它展示了即将面世的 AI 芯片的四芯片组或四裸片设计。它看起来更像是台积电的CoWoS-L 或英特尔的 EMIB，并采用 Foveros 3D 技术，而非普通的中介层。让我们来看一下这两种芯片的设计。

CoWoS-L：晶圆上基板本地芯片封装技术是基于台积电的芯片后封装技术，专为先进 AI 处理器的高密度集成而设计。

英特尔 EMIB：带有 Foveros 3D 的嵌入式多芯片互连桥具有 2D 和 3D 芯片堆叠的优势，可打造强大、灵活的芯片。

其中，EMIB 负责单个封装内芯片组之间的高带宽和低功耗连接。同时，Foveros 允许垂直堆叠芯片，以提高密度和性能。

根据华为的专利，该公司可以使用四个芯片来构建更大的芯片。芯片是一个实际的电路元件，包含所有晶体管、导线和其他使处理器高效运行的组件。

华为专利展示了传闻中的 Ascend 910D 类似台积电的芯片设计秘密（图片来源：华为）

有消息称，该公司计划将四个芯片连接起来，组成 Ascend 910D。相比 910C 处理器的双芯片布局，这可能是一次重大升级。

这些信息进一步暗示，Ascend 910D 可能需要 4020 平方毫米的硅片总面积。单个芯片组的裸片尺寸可达 665 平方毫米。因此，即将推出的 Ascend 910D 的芯片尺寸可能会增加四倍，达到 2660 平方毫米。

从设计细节来看，华为及其芯片合作伙伴中芯国际似乎至少在芯片封装方面努力追赶台积电。如果成真，或许能帮助中国克服美国的限制，进入尖端芯片制造时代！

请注意，新的芯片设计仍在专利阶段。并非所有专利申请都会转化为实际产品。因此，我们对此消息持保留态度。