三星与最大竞争对手SK Hynix与存储巨头Sandisk达成战略合作，共同推进“高带宽闪存”（HBF）技术标准化。这一创新将NAND闪存与DRAM结合，旨在为AI模型提供更高容量、更低功耗的内存解决方案，或重塑全球AI硬件生态。

根据协议，HBF技术基于类似HBM的封装设计，部分DRAM堆栈被替换为NAND闪存，以延迟换取容量大幅提升。Sandisk展示的原型采用专有BiCS NAND与晶圆键合技术，可在相同成本下实现DRAM基HBM八至十六倍的存储空间。更关键的是，NAND的非易失性无需持续供电即可保存数据，显著降低数据中心能耗，为AI推理扩展至功耗受限场景（如边缘计算）提供可能。

超大规模运营商或成首批受益者。HBF技术可缓解AI模型膨胀带来的存储压力，同时减少数据中心冷却成本。这一方向与“LLM in a Flash”研究概念呼应，后者通过SSD作为DRAM扩展层提升大模型运行效率，而HBF将其整合至单一高带宽封装中。样品模块计划2026年下半年推出，首款搭载HBF的AI硬件预计2027年初面世。

全球竞争格局生变。三星虽同步开发HBM4与闪存增强型存储，但SK Hynix凭借与Nvidia的紧密合作占据先机。Nvidia目前仍聚焦DRAM密集型设计，但未排除未来兼容HBF的可能。业内认为，HBF标准一旦确立，或加速AI硬件从“纯DRAM”向“混合存储”转型，倒逼所有芯片厂商调整技术路线。

市场分析师提醒，HBF仍需克服延迟与成本平衡难题，但其对AI算力平民化的潜在价值已引发行业关注。随着Sandisk与SK Hynix推进原型测试，一场关于“AI内存未来形态”的竞赛正悄然展开。